对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析 工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P,而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。
侦测到亮点之情况
会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应;5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。
侦测不到亮点之情况
不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面反型层;5.硅导电通路等。
点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。
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